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μ PA679TB
(2) P-ch PART (T A = 25 ° C)
CHARACTERISTICS
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate Leakage Current
SYMBOL
I DSS
I GSS
TEST CONDITIONS
V DS = ? 20.0 V, V GS = 0 V
V GS = m 12.0 V, V DS = 0 V
MIN.
TYP.
MAX.
? 1.0
m 10
UNIT
μ A
μ A
Gate Cut-off Voltage
Note
V GS(off)
V DS = ? 10.0 V, I D = ? 1.0 mA
? 0.80
? 1.30
? 1.80
V
Forward Transfer Admittance
Note
| y fs |
V DS = ? 10.0 V, I D = ? 0.20 A
0.2
0.6
S
Drain to Source On-state Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-on Delay Time
Rise Time
Turn-off Delay Time
Note
R DS(on)1
R DS(on)2
R DS(on)3
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
V GS = ? 4.5 V, I D = ? 0.20 A
V GS = ? 4.0 V, I D = ? 0.20 A
V GS = ? 2.5 V, I D = ? 0.15 A
V DS = ? 10.0 V
V GS = 0 V
f = 1.0 MHz
V DD = ? 10.0 V, I D = ? 0.20 A
V GS = ? 4.0 V
R G = 10 ?
1.17
1.25
2.25
29
15
3
23
39
50
1.45
1.55
2.98
?
?
?
pF
pF
pF
ns
ns
ns
Fall Time
t f
33
ns
Body Diode Forward Voltage
V F(S-D)
I F = 0.25 A, V GS = 0 V
0.88
V
Note Pulsed: PW ≤ 350 μ s, Duty cycle ≤ 2%
TEST CIRCUIT
SWITCHING TIME
D.U.T.
PG.
R G
R L
V DD
V GS
Wave Form
V GS( ? )
10%
0
V GS
90%
V DS( ? )
90%
90%
V GS( ? )
V DS
0
V DS
0
10%
10%
τ
Wave Form
t d(on)
t r
t d(off)
t f
τ = 1 μ s
Duty Cycle ≤ 1%
t on
t off
Data Sheet G16615EJ1V0DS
3
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